规格书 |
IPB020NE7N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 75V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 120A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2 mOhm @ 100A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.8V @ 273µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 206nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 14400pF @ 37.5V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
P( TOT ) | 300W |
匹配代码 | IPB020NE7N3 G |
安装 | SMD |
R( THJC ) | 0.5K/W |
LogicLevel | NO |
包装 | TO263-3 |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 13 weeks |
最小起订量 | 1000 |
Q(克) | 206nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 120A |
V( DS ) | 75V |
技术 | OptiMOS 3 |
的RDS(on ) at10V | 0.002Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 120A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.8V @ 273µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2 mOhm @ 100A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 300W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 14400pF @ 37.5V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 206nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPB020NE7N3 GCT |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | 2.3 V |
连续漏极电流 | 120 A |
系列 | IPB020NE7 |
RDS(ON) | 2 mOhms |
功率耗散 | 300 W |
下降时间 | 22 ns |
商品名 | OptiMOS |
正向跨导 - 闵 | 196 S, 98 S |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
零件号别名 | IPB020NE7N3GATMA1 SP000676950 |
上升时间 | 26 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 75 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 206 nC |
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